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材料微觀結(jié)構(gòu)表征_EBSD測(cè)試_晶體取向分析：電子背散射衍射（EBSD） 是一種在掃描電子顯微鏡（SEM）中實(shí)現(xiàn)的、用于分析材料近表面（10-50 nm）微觀晶體結(jié)構(gòu)的強(qiáng)大技術(shù)。其基本原理是通過高能電子束轟擊傾斜樣品表面，激發(fā)出背散射電子，這些電子在晶體中發(fā)生衍射并形成特定的衍射花樣（菊池帶）。通過解析這些花樣的幾何特征，即可確定該微區(qū)晶體的取向、相和應(yīng)變信息。

錫須檢查-晶須生長(zhǎng)-電子元器件可靠性：錫須是從元器件焊接點(diǎn)的錫鍍層表面生長(zhǎng)出來的一種細(xì)長(zhǎng)的錫單晶，錫須的存在可能導(dǎo)致電器短路、弧光放電，以及及光學(xué)器件損壞等危害。廣電計(jì)量擁有完整的錫須檢查試驗(yàn)設(shè)備，經(jīng)驗(yàn)豐富的分析人才，能夠高效準(zhǔn)確的提供錫須檢查測(cè)試服務(wù)。

硅光芯片測(cè)試-光電性能測(cè)試-耦合損耗測(cè)試：硅光芯片測(cè)試是確保硅光芯片性能和質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，廣電計(jì)量打造專業(yè)人才隊(duì)伍、構(gòu)建完善的硅光芯片測(cè)試體系，助力硅光芯片光通信產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

X射線能譜分析-能譜EDS-元素成分分析：X射線光電子能譜(XPS)表面分析測(cè)試通過元素含量與價(jià)態(tài)對(duì)比，有效評(píng)估封裝基板表面工藝處理效果，并精準(zhǔn)檢測(cè)器件表面污染情況，提供可靠的表面成分分析數(shù)據(jù)。

光電熱機(jī)械全參數(shù)測(cè)試 光電器件：廣電計(jì)量光、電、熱、機(jī)械全參數(shù)測(cè)試服務(wù)可與企業(yè)合作，深入產(chǎn)品研發(fā)階段，有效為產(chǎn)品研發(fā)和定型提供測(cè)試保障。

傳感器液體冷熱沖擊試驗(yàn)：液態(tài)冷熱沖擊試驗(yàn)主要用于兩個(gè)裝置內(nèi)部的液體冷熱交替循環(huán)試驗(yàn)。冷熱沖擊試驗(yàn)是評(píng)價(jià)散熱器抗溫度交變循環(huán)能力的強(qiáng)化試驗(yàn)，為冷卻器的設(shè)計(jì)提供試驗(yàn)數(shù)據(jù)，也是驗(yàn)證冷熱交變溫度下非金屬-金屬連接件的可靠性，對(duì)保證換熱器質(zhì)量和提高其可靠性具有重要作用。廣電計(jì)量可提供傳感器液態(tài)沖擊試驗(yàn)服務(wù)。

光電子器件LED失效分析：隨著LED應(yīng)用的飛速發(fā)展，其失效問題也隨之表現(xiàn)的尤為突出，特別是LED隨機(jī)性不點(diǎn)燈或性不點(diǎn)燈，以及燒燈等，是困擾產(chǎn)品可靠性壽命的關(guān)鍵問題。廣電計(jì)量通過對(duì)LED內(nèi)部的微觀分析，確認(rèn)其結(jié)構(gòu)上的失效特征，可以改進(jìn)設(shè)計(jì)、制造、工藝及應(yīng)用上的潛在或已存在的失效風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性及壽命。

光電器件 電磁繼電器電性能測(cè)試：繼電器是一種自動(dòng)控制開關(guān)，當(dāng)其輸入端的物理量達(dá)到某一量值時(shí)，其輸出端的狀態(tài)發(fā)生階躍式變化。繼電器廣泛應(yīng)用于遙控、遙測(cè)、通訊、自動(dòng)控制、機(jī)電一體化及電力電子設(shè)備中，是最重要的控制元件之一。廣電計(jì)量提供電磁繼電器電性能測(cè)試服務(wù)，為實(shí)際使用發(fā)生失效的繼電器進(jìn)行宏觀及微觀的分析，確定其失效模式及其失效的機(jī)理。