廣電計(jì)量提供覆蓋Si、SiN、LiNbO?等材料體系的硅光芯片全流程測(cè)試服務(wù)，功能單元包含硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)及激光器等。測(cè)試項(xiàng)目涵蓋耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等參數(shù)測(cè)試，支持批量篩選與定制化方案；同時(shí)具備HTOL、HTRB、THB等老煉及可靠性驗(yàn)證能力。作為工信部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)"，廣電計(jì)量是在國(guó)內(nèi)前沿完成激光發(fā)射器、探測(cè)器全套AEC-Q102車規(guī)認(rèn)證的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，可依據(jù)GR-468及客戶委托標(biāo)準(zhǔn)，提供從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的一站式技術(shù)支撐。

服務(wù)背景

X射線能譜分析-能譜EDS-元素成分分析：

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，材料表面納米級(jí)的化學(xué)污染、氧化及元素偏析問(wèn)題，已成為影響器件電性能、可靠性和工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵瓶頸。

主要應(yīng)用包括：

通過(guò)元素含量/價(jià)態(tài)對(duì)比封裝基板表面工藝處理效果

通過(guò)元素含量/價(jià)態(tài)對(duì)比器件是否受到污染

測(cè)試案例

X射線能譜分析-能譜EDS-元素成分分析：

封裝基板通過(guò)不同plasma處理方式后表面元素對(duì)比：

正常線纜與失效線纜元素對(duì)比：