隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)高速率、低功耗傳輸需求的激增，硅光芯片的規(guī)模化應(yīng)用已成為必然趨勢(shì)。面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的硅光芯片可靠性驗(yàn)證方法，直接關(guān)系到光模塊在長(zhǎng)期服役中的穩(wěn)定性與壽命。廣電計(jì)量構(gòu)建了覆蓋器件級(jí)-晶圓級(jí)-系統(tǒng)級(jí)的全生命周期質(zhì)量解決方案，特別針對(duì)硅光芯片的特點(diǎn)，建立了符合JESD22等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的可靠性驗(yàn)證體系。我們能夠開(kāi)展包括溫度循環(huán)（TC）、高溫高濕老化（TH/HAST）以及靜電放電（ESD/HBM/CDM）在內(nèi)的全序列測(cè)試，精準(zhǔn)評(píng)估硅光芯片在數(shù)據(jù)中心嚴(yán)苛環(huán)境下的性能衰減與失效風(fēng)險(xiǎn)，助力國(guó)產(chǎn)光芯片實(shí)現(xiàn)質(zhì)量躍遷。

服務(wù)范圍

• 功能單元：

硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器等

• 材料體系：

Si、SiN、LiNbO3

檢測(cè)項(xiàng)目

高精度硅光測(cè)試_自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)_晶圓級(jí)測(cè)試：

參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目：耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等，支持批量篩選，定制標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方案

老煉以及可靠性驗(yàn)證：硅光芯片HTOL、HTRB、THB等試驗(yàn)，支持MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GR-468，參考客戶委托

服務(wù)背景

高精度硅光測(cè)試_自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)_晶圓級(jí)測(cè)試：

隨著 5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域快速發(fā)展，對(duì)高速、低功耗、高集成度的光通信芯片需求激增，硅光芯片憑借與 CMOS 工藝兼容、成本低、體積小等優(yōu)勢(shì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。但制造工藝復(fù)雜，易出現(xiàn)光學(xué)性能偏差、電學(xué)參數(shù)異常等問(wèn)題，為保障其性能、質(zhì)量，滿足通信、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域應(yīng)用需求，對(duì)硅光芯片測(cè)試和篩選至關(guān)重要。

我們的優(yōu)勢(shì)

?業(yè)和信息化部“?向集成電路、芯?產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺(tái)"。

?東省?業(yè)和信息化廳“汽車(chē)芯?檢測(cè)公共服務(wù)平臺(tái)"。

江蘇省發(fā)展和改?委員會(huì)“第三代半導(dǎo)體器件性能測(cè)試與材料分析?程研究中?"

國(guó)內(nèi)shou家完成激光發(fā)射器、探測(cè)器全套AEC-Q102車(chē)規(guī)認(rèn)證的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。

有豐富的硅光芯片測(cè)試經(jīng)驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)案例