在材料科學(xué)與失效分析領(lǐng)域，準(zhǔn)確獲取材料的元素構(gòu)成是破解諸多技術(shù)難題的關(guān)鍵的一步。材料成分分析的利器：X射線能譜（EDS）技術(shù)原理解析，正是為了幫助研發(fā)與工藝人員深入理解這一核心技術(shù)。廣電計(jì)量依托其構(gòu)建的覆蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)檢測(cè)分析體系，利用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM）配合高精度EDS探測(cè)器，可實(shí)現(xiàn)從硼（B）到鈾（U）的元素范圍分析，具備微區(qū)點(diǎn)分析、線掃描和面分布等多種分析模式。無論是半導(dǎo)體材料中的異常顆粒，還是金屬合金的析出相，我們的技術(shù)專家都能通過EDS技術(shù)精準(zhǔn)捕捉元素信息，為工藝優(yōu)化與失效歸因提供確鑿的數(shù)據(jù)支撐。

服務(wù)背景

材料表面分析|微區(qū)成分測(cè)試|X射線能譜：

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，材料表面納米級(jí)的化學(xué)污染、氧化及元素偏析問題，已成為影響器件電性能、可靠性和工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵瓶頸。

主要應(yīng)用包括：

通過元素含量/價(jià)態(tài)對(duì)比封裝基板表面工藝處理效果

通過元素含量/價(jià)態(tài)對(duì)比器件是否受到污染

測(cè)試案例

材料表面分析|微區(qū)成分測(cè)試|X射線能譜：

封裝基板通過不同plasma處理方式后表面元素對(duì)比：

正常線纜與失效線纜元素對(duì)比：